深圳市高通达远电子有限公司

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美国CDE无感吸收电容器941C12P33K-F保护IGBT可控硅整流桥
美国CDE无感吸收电容器941C12P33K-F保护IGBT可控硅整流桥
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美国CDE无感吸收电容器941C12P33K-F保护IGBT可控硅整流桥

型号/规格:

941C12P33K-F

品牌/商标:

CDE

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

焊接

包装方式:

盒装

产品主要用途:

工业电力电气设备

引出线类型:

轴向引线型

特征:

椭圆形柱体

标称容量范围:

0.33

额定电压范围:

1200

温度系数范围:

-55到105

PDF资料:

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产品信息

美国CDE 941C系列无感吸收电容,原装进口,ROHS,无感电容具有自愈性,

耐高尖峰电流及电压的上升速率 低等效串联电阻的作用,可以耐

非常高的的频率和电压。应用范围:高性价比,广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、电磁加热,中频感应加热炉,商用电磁炉,大功率电源,高压机器设备,电动汽车,逆变焊机、太阳能/风力发电等行业的IGBT突波吸收.

主要用于UPS ,变频器 电镀电源 焊机 逆变电源及感应加热设备,高电压、大电流和高脉冲电路中,如缓冲器、能量转化器、开关电源、变频器和逆变器等保护电路中,

尤其适用于 IGBT 、可控硅、达林顿线路中作吸收电容用。 采用聚丙烯薄膜作介质,用特制电极将圆柱形芯子内部连接成串联结构,

芯子外包裹塑料胶带,两端用阻燃环氧树脂封装而成。具有自感小、等效串联电阻低、损耗小、绝缘电阻高、频率特性好和能经受高电压、大电流冲击等特性。